国知局启动知识产权公共服务标准化，Z轴线性磁电阻传感器专利无效宣告

今天，乐知网律师 给大家分享： 国家知识产权局启动知识产权公共服务标准化城市建设试点工作 ，国家知识产权局宣告“ Z 轴线性磁电阻传感器”发明专利无效 。

国家知识产权局启动知识产权公共服务标准化城市建设试点工作

国家知识产权局将指导试点城市围绕知识产权公共服务标准化规范化便利化、全面提升知识产权公共服务效能等方面开展实践探索，推动实现公共服务标准统一、线上线下服务协同、数据信息互联共享、区域公共服务发展平衡，更好满足创新发展需要和社会公众需求，形成可复制、可推广的经验做法，为在更大范围内推动实现知识产权公共服务普惠可及，不断优化创新环境和营商环境提供实践经验。

国家知识产权局宣告“ Z 轴线性磁电阻传感器”发明专利无效

专利法第九条第一款规定：同样的发明创造只能授予一项专利权。

但是，同一申请人同日对同样的发明 创造既申请实用新型专利又申请发明专利，先获得的实用新型专利权尚未终止，且申请人声明放弃该实用新型专利权的，可以授予发明专利权。

对于发明或者实用新型，专利法第九条中所述的“同样的发明创造”是指两件或者两件以上申请（或者专利）中存在的保护范围相同的权利要求。

在判断是否为同样的发明创造时，应当将两件发明或者实用新型专利申请或者专利的权利要求书的内容进行比较，而不是将权利要求书与专利申请或者专利文件的全部内容进行比较。

判断时，如果一件专利申请或者专利的一项权利要求与另一件专利申请或者专利的某一项权利要求保护范围相同，应当认为它们是同样的发明创造。

本专利授权公告时的权利要求书与证据 1权利要求 1 分段对比如下：

本专利：“1。一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征在于，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线圈或/和重置线圈； 证据1：“1。一种单芯片具有校准/重置线圈的 Z 轴线性磁电阻传感器，其特征在于，包括单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器，以及校准线圈或/和重置线圈； 本专利：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括位于衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，所有所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，并且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自由层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并分别位于相对应的所述软磁通量集中器表面上方或下方的 Y 轴中心线的两侧，且距离所述 Y 轴中心线具有相同的距离，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，测量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场扭曲成具有分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且幅度相同的两个磁场分量，并分别作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串； 证据1：所述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器包括位于衬底上的软磁通量集中器和磁电阻传感单元阵列，所述软磁通量集中器为长条形，其长轴沿 Y 方向，短轴沿 X 方向，所有所述磁电阻传感单元为 TMR 传感单元，并且被钉扎层磁化方向都沿 X 方向，其自由层磁化方向都沿 Y 方向，所述磁电阻传感单元沿所述 Y 方向电连接成推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串，并分别位于相对应的所述软磁通量集中器表面上方或下方的 Y 轴中心线的两侧，且距离所述 Y 轴中心线具有相同的距离，所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串电连接成推挽式磁电阻传感器，测量 Z 方向外磁场时，所述软磁通量集中器将所述 Z 方向外磁场扭曲成具有分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向且幅度相同的两个磁场分量，并分别作用于所述推磁电阻传感单元串和所述挽磁电阻传感单元串； 本专利：所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈，所述校准线圈包含平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且分别在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处产生具有强度相同，但方向分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场分量的校准磁场； 证据1：所述校准线圈包含平行于所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串的直导线，且分别在所述推磁电阻传感单元串和挽磁电阻传感单元串处产生具有强度相同，但方向分别平行和反平行于所述被钉扎层磁化方向的磁场分量的校准磁场； 本专利：所述重置线圈为平面重置线圈或三维重置线圈，所述重置线圈包含平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在所有所述磁电阻传感单元处均产生具有平行于自由层磁化方向的磁场分量的均匀重置磁场。

证据1：所述重置线圈包含平行于所述磁电阻传感单元被钉扎层磁化方向的直导线，且在所有所述磁电阻传感单元处均产生具有平行于自由层磁化方向的磁场分量的均匀重置磁场。

” 由上可见，本专利权利要求 1 和证据 1 权利要求 1 的文字区别仅在于，本专利权利要求 1 多限定了“所述校准线圈为平面校准线圈或三维校准线圈”、“所述重置线圈为平面重置线圈或三维重置线圈”，其他特征均相同。

本专利要解决的技术问题是，在单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器进行测试的时候，测试用外加磁场设置不方便、不准确，为此，本专利在上述单芯片 Z 轴线性磁电阻传感器的芯片上，引入校准线圈或/和重置线圈。

本专利权利要求 1 上述争议特征分别限定了“校准线圈”和“重置线圈”的“平面”、“三维”布置方式下线圈呈现的形态，其中线圈的“平面”、“三维”的布置方式是该领域中固有的、必然的布置方式，也即，校准线圈和重置线圈必然体现为“平面”或“三维”的布置方式。

如前所述，鉴于线圈的“平面”、“三维”的布置方式是该领域中固有的、必然的布置方式，证据 1 权利要求 1 中校准线圈和重置线圈也必然体现为“平面”、“三维”的布置方式。

本专利权利要求 1 与证据 1 权利要求 1 属于同样的发明创造，保护范围相同，本专利权利要求 1 不符合专利法第九条第一款的规定。

国家知识产权局宣告“独立封装的桥式磁场传感器”发明专利权无效

一种独立封装的桥式磁场传感器，其特征是：该传感器包括一个或一对 MTJ 磁电阻传感器芯片，该传感器芯片被固定在标准半导体封装的引线框上，每个所述传感器芯片包括一阻值固定的参考电阻和一响应于外磁场改变阻值的感应电阻；每个参考电阻和感应电阻包括多个 MTJ 传感器元件，这些 MTJ 传感器元件作为单独的磁电阻元件以阵列的形式相互连接，每个参考电阻和感应电阻还包括条形永磁铁，在各列磁电阻元件中间为磁电阻元件提供偏置场；感应电阻的电阻值与外磁场在磁电阻传输特性曲线的一段范围内呈线性的关系；所述传感器芯片的引线焊盘设置为使磁电阻元件的每个引脚可以连接多条接合线；所述传感器芯片相互之间以及与引线框之间都通过引线接合连接，以构成一桥式磁场传感器；引线框和所述传感器芯片密封在塑料之中，以形成一标准的半导体封装，在零场时，参考电阻和感应电阻需要很好的匹配，故所有的 MTJ 传感器元件以完全相同的工艺制备。


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