美国专利授权后修改方式及启示，首单境外展会专利纠纷险签约

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美国专利授权后修改方式及启示

现行《专利审查指南》规定，无效宣告程序中，修改发明或实用新型专利的权利要求书的原则包括：不得改变原权利要求的主题名称；与授权的权利要求相比，不得扩大原专利的保护范围；不得超出原说明书和权利要求书记载的范围；一般不得增加未包含在授权的权利要求书中的技术特征。

由此看出，专利授权后的修改仅仅针对权利要求书，而且在独立权利要求没有修改的情况下，不允许对从属权利要求进行合并修改。

实践中，专利权人为删除某些有瑕疵的权利要求，只能通过无效宣告程序获得修改的机会。

但是，出于对公示制度的遵守以及平衡专利权人与社会公众利益的考虑，无效宣告程序对专利文件的修改提出较为严格的限制。

因此，专利权人明知自己的专利权存在瑕疵，也极少会适用无效宣告程序对专利文件进行修改，这就使得部分获得授权的存在一些瑕疵的专利由于缺乏适当的修改途径而不能有效投入运用，阻碍具有“累积性”技术领域创新的步伐。

2022年12月，国务院发布了《国务院关于新形势下加快知识产权强国建设的若干意见》，明确提出“完善授权后专利文件修改制度”。

本文中，笔者介绍美国专利授权后的修改方式，希望能为我国构建授权后的专利文件修改体系提供参考。

美国修改途径有哪些　　在我国，专利授权后只能在无效宣告程序中进行修改，而在美国，专利权人有多种授权后修改途径，包括更正证书（certificate of correction）、申请再颁专利（reissue）、单方再审（Ex Parte Reexamination，EPR），双方重审（Inter Partes Review，IPR）和授权后复审（Post Grant Review，PGR）。

（一）更正证书　　根据美国专利法规定，专利申请人可以通过更正证书对授权后专利文件中的错误进行订正，所谓的较小印刷错误的修改即包括对拼错的单词、遗漏转让人名字或者错将修改后的权利要求印刷成了修改前的权利要求等。

该类错误的订正须基于失误和非欺骗的意图。

（二）申请再颁专利　　专利权人发现授权专利中存在无法通过更正声明或放弃权利声明进行弥补的错误时，可主动放弃原来的专利并递交再颁申请，要求专利审查部门对该专利权利要求再次进行审查。

再颁申请被授予专利权时，原专利即被视为放弃，再颁专利的到期日期就是原专利原本的到期日期。

再颁专利必须得到原说明书公开的支持，但在获得原说明书的公开支持下，允许申请人在原专利授权日起2年内，提出扩大权利范围再颁申请。

（三）单方再审中的修改　　在单方再审程序中，专利权人、被许可人，甚至是美国专利官方负责人均可引用专利或印刷出版物，向美国专利官方请求再审。

若美国专利官方接受单方再审请求，则专利权人可以在对美国专利官方的陈述环节中，要求修改权利要求以缩小专利保护范围、考虑新的权利要求、删除权利要求等，但在再审过程中不能引入新的主题。

（四）双方重审中的修改　　与上文所述的单方再审制度相比，美国专利官方给予了第三方请求者更多的参与机会。

在该程序下，专利权人一般来说可修改一次，删除被挑战的权利要求，增加权利要求作为替代。

修改时，不得扩大专利保护的范围，也不得引入新的主题。

但在双方同意的情况下，可做其他修改。

对于这里所指的“其他修改”，则需根据不同的情形进行分析确定。

（五）授权后复审中的修改　　在专利授权后9个月内，利益关系人可基于专利无效的任何理由向美国专利官方提出复审请求。

在复审过程中，与双方重审中专利权人拥有的修改尺度一样，专利权人拥有一次可以修改权利要求的机会，包括删除被挑战的权利要求，增加合理数目的权利要求作为替代；同样，在双方均同意或专利权人理由充分的情况下，可做其他修改，但修改均不得扩大专利权保护范围，也不得引入新主题。

上述制度的实行对美国专利质量的提高有着不可忽视的作用，这对我国构建授权后专利文件修改体系具有借鉴意义。

我国构建制度可参考　　（一）允许对文字错误直接修改　　美国专利法规定专利申请人可通过更正证书对专利文件中存在的较小的印刷错误进行订正。

我国《专利审查指南》也指出，在满足修改原则的前提下，修改权利要求书的具体方式一般限于权利要求的删除、合并和技术方案的删除。

该规定中使用“一般”一词，在一定程度上说明了例外情况存在的可能性。

笔者认为，可以考虑允许专利权人在专利授权后对专利文件的明显缺陷进行修改，至少包括修改明显笔误这种方式。

尤其当所犯错误是“善意”，且为“拼写、抄写、印刷或微小错误”，在明显文字错误的修改并不会扩大保护范围的情况下，这种修改方式可以使专利权人的权利要求的技术方案更加清晰，并可避免在无效宣告程序中出现不必要的语词之争。

（二）以技术特征为最小修改单元　　目前美国专利法中规定的申请再颁专利程序，允许专利权人修改单个技术特征。

同时，欧洲官方也认为，修改授权后的权利要求书，可以重写、修正或删除部分或全部权利要求中的技术特征，只要修改后的权利要求没有超过授权的权利要求书所确定的保护范围。

笔者认为，我国可以考虑允许将技术特征作为修改的最小单元。

有学者提出，如果将专利的权利要求比喻为圈地运动中围绕所圈之地而建的层层围墙，那么，权利要求的修改问题就是围墙的拆除、保留与重建。

假设最外层的200平方米的围墙被拆除是合理的，进而可能考虑保留第二层150平方米的围墙，如果圈地者的贡献是介于最外层200平方米和第二层之间的175平方米，那么允许其设立175平方米的围墙是较为合理的。

授权后专利文件修改的价值在于为专利权人提供对撰写瑕疵的补救办法，可参考和借鉴国外的制度研究成果，健全和设计适合我国国情的授权后专利文件修改制度，促进我国技术创新发展。

文章来源于“乐 知 网”

首单境外展会专利纠纷险签约

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存储器芯片专利竞争态势分析

临时禁令的发出虽然标志着我国在存储器领域反击美国打出了漂亮的一仗，但是要想在国际市场取得一席之地，还要克服诸多困难。

笔者将从目前各方的专利布局情况进行分析，希望能对国内存储器企业发展有所启发。

存储芯片产业格局 存储器芯片领域主要划分为两类：一类是易失性存储器，就是断电后存储器内存储的信息立即消失，例如DRAM，其中PC机内存和手机内存大约占六成。

另一类是非易失性存储器，即断电以后存储器内存储的信息仍然存在，主要是闪存（NAND FLASH 和 NOR FLASH），前者用于数据存储，后者则用于代码存储介质中。

半导体存储器是一个高度垄断的市场，以DRAM和NAND FLASH两种主要的存储器芯片为例，其中DRAM的全球市场几乎被韩国的三星电子、海力士和美国的美光瓜分，而NAND FLASH市场几乎被三星电子、海力士、东芝和闪迪、美光、英特尔占有。

其中三星电子居于垄断地位，2022年它的DRAM和NAND FLASH全球占有率分别为45.8%和37%。

而目前国内已形成福建晋华、合肥长鑫和紫光集团三大存储器阵营，其中福建晋华和合肥长鑫主攻DRAM领域，而紫光集团的长江存储则专注于NAND FLASH领域，三家均声称在2022年底实现试产，开通生产线。

竞争对手专利布局 本文的专利文献数据主要来自官方专利检索与服务系统（S系统）。

专利文献来源包括CNABS（中国专利文献数据库）和DWPI（德温特世界专利索引数据库）。

数据检索截止时间为2022年8月4日。

截止到检索日，三大巨擘三星、海力士和美光在存储器领域的专利申请数量分别为1.4868万件、1.3977万件和9749件，可见三大企业均具有雄厚的专利技术储备。

图1是三大巨擘在全球范围内历年申请量的年份分布折线图。

从图中可以看出，三星专利申请起步最早，在经过十几年的研发后，从1996年开始呈现数倍增长，并在以后20年内每年都维持400件以上的专利申请量，且2005年、2006年的专利申请量更是超过了1000件之多；美光从1988年开始申请专利，经过短短6年时间，其专利申请量已与三星基本持平，并从1997年开始维持400件上下的专利申请量；海力士起步最晚，从1992年才开始进行专利布局，但是其厚积薄发，从1999年起就始终紧跟三星的脚步，并在2008、2009年达到申请巅峰，年申请量达1500件上下。

可见，经过多年积累，三大巨擘在专利申请的数量上已经获得了绝对优势，存储器的入市门槛已经很高。

对三星、海力士、美光三家公司的技术目标区域分布进行统计可以看出，三家公司的技术目标国均主要集中在美国、韩国、日本、中国4个国内，其他国内和地区的占比较小，且美国和韩国的占比最大，其中三星、海力士、美光三家公司在美国的占比分别为32%、53%和60%，三星、海力士两家公司在韩国的占比分别为41%和53%。

可见，存储器技术在美国、韩国、日本、中国的专利布局已经铺开，尤其是美国和韩国已经基本完成了专利布局，而三星、海力士、美光三家公司在中国的占比分别为11%、12%和11%，说明三家公司的专利布局还没有完全深入到中国，对中国的布局还未全面展开，中国企业应抓住时机，提早预防。

由于三星、海力士、美光三家公司均在本国拥有较大专利申请量，本文就从专利申请的国际专利分类入手了解一下三家公司在本国的技术分布。

图2是三家公司在本国的技术分布图，从图中可以看出，三家公司的专利申请均集中在G11C（静态存储器）、H01L（半导体存储器件）、G06F（电数字数据处理）和H03K（脉冲技术）几个技术领域中，尤其是涉及存储器具体设计的G11C（静态存储器）和包括了器件结构及制备方法的H01L（半导体存储器件）这两个领域的专利申请占据了三家公司专利申请的绝大部分。

可见，三家公司均已掌握了存储器领域的大量核心技术。

国内企业专利现状 笔者以福建晋华为例，介绍一下我国存储器企业专利现状。

福建晋华成立于2022年，截止到检索日，其在中国提交专利申请42件，在美国提交专利申请20件，且仅有一件专利申请的技术领域是G11C（静态存储器），其余专利申请的技术领域均为H01L（半导体存储器件）。

福建晋华在专利数量、技术目标区域分布、技术领域分布等方面均与主要竞争对手存在较大差距。

虽然福建晋华在此次诉讼中取得了阶段性胜利，但是未来仍需要在联华电子的技术支持下，快速加大专利储备。

存储器行业有着“大者”的行业特征，很容易形成市场垄断，后来者发展难度极大。

基于此，笔者就我国存储器企业的发展提出如下建议：首先，应积极发掘或引进优秀人才，实现优质的技术发明、专利布局和专利运用。

其次，应了解技术发展趋势，查找技术研究中的空缺，通过技术合作、专利许可等方式，快速切入该领域。

最后，由于我国和美国均是芯片的重要市场，各大企业在进行专利申请时，可结合自身市场规划，在美、日、韩等重要的芯片市场国内提交专利申请，为产品走出去保驾护航。



美国专利授权后修改方式及启示 的介绍就聊到这里。


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