猜你想搜
申请专利
如何申请专利
专利代理
发明专利申请
专利申请
商标代理
专利申请流程
知识产权
商标分类
怎么申请专利
商标注册申请
专利
专利申请费用
实用新型专利申请
专利侵权
知识产权代理
外观设计专利
专利转让
专利申请网
PCT申请
商标申请
专利网
专利产品
外观专利申请
商标注册
实用新型专利
商标注册流程
商标注册费用
专利查询
专利申请代理
商标侵权
申请商标
商标注册代理
商标注册网
商标申请流程
专利检索
中国商标
发明专利
商标注册公司
商标网
商标
专利权
商标转让
中国商标注册网
商标注册流程及费用
美国专利申请
专利申请公司
外观专利
专利申请流程及费用
PCT专利申请
发明专利申请流程
欧洲专利局
知识产权保护
专利诉讼
申请专利多少钱
外观设计专利,外观专利
外观设计专利申请
外观设计专利保护期限
外观设计专利期限
外观设计
咨询热线
182-1095-8705 地址:北京市西城区红莲南路57号
电话:182-1095-8705
邮箱:2101183472@qq.com
电话:182-1095-8705
邮箱:2101183472@qq.com
华密新材知识产权合规管理体系认证,博阳机械Z向多层接力梯专利介绍
专利代理 发布时间:2024-08-04 15:36:06 浏览: 次
今天,乐知网律师 给大家分享:华密新材顺利通过知识产权合规管理体系认证 ,博阳机械Z向多层接力梯专利介绍。
华密新材顺利通过知识产权合规管理体系认证
2024年7月31日,河北华密新材科技股份有限公司顺利通过《企业知识产权合规管理体系要求》(GB/T29490-2023)认证,并取得知识产权合规管理体系认证证书。
认证的通过,标志着公司在知识产权规范化管理、运用及保护方面迈上新台阶。
此前,在为期4天的认证审核过程中,审核组通过审核材料、访谈交流、查阅档案文件等方式,对公司知识产权管理体系运行的符合性、适宜性、有效性进行评价。
审核老师对公司知识产权管理体系的架构搭建、知识产权运营管理等给予了肯定,同时就审核过程中发现的不足之处提出改进意见和建议。
华密新材是一家专业从事研发、生产和销售特种橡胶混炼胶、特种工程塑料及橡塑制品的高新技术企业、国家专精特新“小巨人”企业。
近年来,公司依托河北省特种橡塑产业技术研究院、河北省特种橡塑材料及应用研究重点实验室等研发平台,深入推进科技创新,全面统筹科技创新立项、知识产权管理、科技成果转化等工作,高度重视创新发展和知识产权管理,将知识产权合规管理作为提升企业管理水平的重要一环,贯穿于知识产权管理的全过程、全链条,强化全员知识产权保护意识,努力实现为企业创新发展保驾护航,推动企业高质量发展。
截止目前,公司拥有国家授权专利47件,其中发明专利19件,实用新型专利28件;注册商标31件。
下一步,公司将持续推进知识产权管理体系与生产经营深度融合,强化知识产权布局、培育和保护工作,增强自主创新能力,提高核心竞争力,加快在特种橡塑领域形成新质生产力。
博阳机械Z向多层接力梯专利介绍
知识产权信息显示,安丘制造有限公司取得一项名为“Z 向多层接力梯“,授权公告号 CN111977409B,申请日期为 2022 年 7 月。
专利摘要显示,本发明涉及装车设备技术领域,提供了一种 Z 向多层,包括竖直设置的框体,上设置有若干层接包组件;接包组件包括两扇可打开或闭合的托板;两闭合时,承接物料包;两托板打开时,包落下;接包组件均传动连接时序开合机构,控制各层接包组件的两托板切换打开或闭合状态;各层托板依次运行至打开或闭合状态,物料包逐层下落;物料包在相邻两层之间自由落体的时间略大于两托板状态的切换时间。
借此,本发明通过在框体上设置若干层接包组件,并采用时序开合机构控制各层接包组件的托板的开合状态及开合节奏。
实现了物料包的逐层速度可控的下落,提高了装车的效率。
双线场照明与高效反射镜阵列低功耗EUV光刻设备专利
据日本冲绳科学技术大学院大学(OIST)官网最新报告,该校设计了一种极紫外(EUV)光刻技术,超越了半导体制造业的标准界限。
基于此设计的光刻设备可采用更小的EUV光源,其功耗还不到传统EUV光刻机的十分之一,从而降低成本并大幅提高机器的可靠性和使用寿命。
在传统光学系统中,例如照相机、望远镜和传统的紫外线光刻技术,光圈和透镜等光学元件以轴对称方式排列在一条直线上。
这种方法并不适用于EUV射线,因为它们的波长极短,大多数会被材料吸收。
因此,EUV光使用月牙形镜子引导。
但这又会导致光线偏离中心轴,从而牺牲重要的光学特性并降低系统的整体性能。
为解决这一问题,新光刻技术通过将两个具有微小中心孔的轴对称镜子排列在一条直线上来实现其光学特性。
由于EUV吸收率极高,每次镜子反射,能量就会减弱40%。
按照行业标准,只有大约1%的EUV光源能量通过10面反射镜最终到达晶圆,这意味着需要非常高的EUV光输出。
相比之下,将EUV光源到晶圆的反射镜数量限制为总共4面,就能有超过10%的能量可以穿透到晶圆,显著降低了功耗。
新EUV光刻技术的核心投影仪能将光掩模图像转移到硅片上,它由两个反射镜组成,就像天文望远镜一样。
团队称,这种配置简单得令人难以想象,因为传统投影仪至少需要6个反射镜。
但这是通过重新思考光学像差校正理论而实现的,其性能已通过光学模拟软件验证,可保证满足先进半导体的生产。
团队为此设计一种名为“双线场”的新型照明光学方法,该方法使用EUV光从正面照射平面镜光掩模,却不会干扰光路。
(乐知网- 领先的一站式知识产权服务平台)。
关键词: 发明专利申请